Схема формирователь импульсов 1нс

схема формирователь импульсов 1нс
7. Белкин B.C., Шульженко Г.и. Формирователь высоковольтных двуполярных наносекундных импульсов синусоидальной формы. Можно попытаться измерить не изменение частоты, а разность фаз, которая при этом возникнет между колебаниями отраженного и опорного импульсов. Быстродействия ключей не может быть меньше некоторой, получим:. Расширение ООЗ происходит вплоть до динамического (временного) смыкания базовой границы ООЗ коллекторного перехода с ООЗ эмиттерного перехода в условиях двойной (обычной и лавинной) инжекции носителей в перекрытую ООЗ базовую область транзистора. Осциллографы 1970-х и даже 1980-х годов не позволяли в деталях разбираться в форме сигналов в схемах на лавинных транзисторах, и их поведение нередко воспринималось как аномальное и вредное. Поэтому результаты исследования переходных процессов в нем носят фундаментальный характер.


Схема на рис. 1.19в обеспечивает более стабильные импульсы при изменении питающего напряжения (аналогичную схему можно собрать и на JK-триггерах). Для увеличения крутизны спадов выходных импульсов применяют схемы показанные на рис. 1.20, но в них конденсаторы С1 должны быть неполярными. Первая особенность касается выделения сигнала, отраженного от движущегося объекта. В принципе для выделения этого сигнала можно использовать изменения всех трех, указанных выше, параметров импульсной последовательности. Индуктивностей в качестве ключей обратного тока ДДРВ, что резко упрощает схемотехнику формирователей, поскольку в формирователе остается только один первичный активный ключ. При этом транзистор «аномально» быстро входит в глубокое насыщение. Таким образом, скорость изменения напряжения на коллекторе достигает 1,5×10–11 В/c и выше. На нагрузке 50 Ом формируется импульс с амплитудой выше 160 В с временем нарастания 1 нс (рис. 8). Эти параметры не хуже, чем у современных специальных лавинных транзисторов. Включение транзисторов VT1 и VT2 по схеме составного транзистора повышает входное сопротивление каскада.

Акустолокация — оперативное бесконтактное измерение толщины металлов с высокой точностью. Причины медленного роста быстродействия и импульсной мощности импульсных устройств носят фундаментальный характер. Лавинно-инжекционные транзисторы Далее для определенности рассмотрим n-p-n- транзисторы.

Похожие записи: